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                半导体领域Semiconductor field
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                半导体领域专利申请的详细信息,您可以咨询微电子部〗经理   李律师     021-51096606-840     lyp@pnkshop.com  
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                半导体领域专利申请的≡基本特点
                • 01

                  1、半导体领域的专利技术涉及材料、物理、电子、光学、计算机等多种学科,由于行业发展迅猛,其专利技术更新〇速度快,且通常具有很高的经济效益。为了保护和增强公司价值,半导体领域→的专利技术已成为本领域的兵家必争之地∏。自2000年以来,获得最多专利▂的主要半导体领域依序为:1. 主动固态组件;2. 半导体制程;3. 静态信息储存与检索;4. 相干@光产生器;5. 电子量测与测试;6. 各种主动式电子非线性组件、电路及系统;7. 电子系统与设♀备。近年来公布的专利合作条约(PCT)大约维持在每年ξ ξ 2,000件左右。前七大提出PCT申请的公司分别为飞利浦电子、超微(AMD)、IBM、应用材料(Applied Materials)、摩托罗拉(Motorola)、英特尔(Intel)与半导体能源实验室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起,半导体、半导体♀设备、光学、涂布与静态储存一直引领着PCT的应用方向。飞利浦电子与超微将持续作为提出PCT的主要∮公司。半导体能源实验︼室则是从2005年开始积极提出PCT。

                • 02

                  2、专利申请的对象主要分为以下几种类型:
                  (1)电子元器件:如晶体管、存储器、传感器、LED照明、光电器件、太阳∮能光伏器件等。
                  (2)芯片与系统:如SoC系统级芯片、MEMS微电子机械系统等。
                  (3)材№料与设备:如SOI、GOI、光电材料、介质材料、封装材料、制程设备、测试设备☉等。
                  (4)制程、工艺方法:如生▅长薄膜、掺杂、光刻、刻蚀、制造器件的工艺流程等。
                  (5)IC设计、模拟方法:如 IC设计方法、器件仿真模拟方法、失效分析方法等。
                  (6)测试、验证方法:如 IC、器件量测方法╱等。

                半导体领域技术资料准备的提纲
                专利申请以产品、方法为主:产品/方法的创新主要基于产品的构造及工艺方法』的步骤,则申请时应考虑提供:
                • 01

                  本专利的任务是→什么,或要解决的技术问题是什么?

                • 02

                  已有产品/方法的不足:即说明与本专利的内容最相似的产品/方法,需要说明已有∏产品的主要结构、原理、实用效果,或已有工艺、方法的步骤、实用效果,尤其〓指出与本专利相比,原有产品/方法存在的缺点或不足之处。如有引↙用文献,需要说明出处;如有参考产品,指出其型号、厂家。对∏原有技术的介绍尽可能详细,可附结构原理图。

                • 03

                  本专利的内容:应说明本专利达到目的或解决问题的技术手▲段。包括产品的组成、结构,尤其说明各组成部分之间◣的相互关系,例如连接关系、被作用的工作电流或信号的走向。或工艺、方法的流程步骤,还需说明各步骤涉及的重∮要工艺参数(如时间、温度等)、重要公式。写明本专利的工作原理,本专利与现有技术的区别点。

                • 04

                  本专利的效果:有益效果可々以由工作性能的提高,制作成本、能量损耗的减少,稳定性∞的增加,操作、控制、使用的简便,以及其他有用性能的出现等方面反映出来,对于工艺、材料卐的改进,还需给出实验数据加以证明。

                • 05

                  附图与说明:产品构造或装置或设备的图解,图应以电子制图或流程图的标准◇绘制,而非扫描图。使专利工作人员可直接在附图上编↑↑辑修改,实用新型申请必须带附图。工艺、方法可提供流程图。

                • 06

                  本专利的具体实施例:对照附图,说明本专利的具体⌒实施方式,必须有详细的操作步骤、工作机理,包括附图中各具体器件功能介绍、及流程图中具体各个流程的功能。最好提供相应∩的技术参数、数据来具体说明有益效果,可同时提供原有技术∑ 的参数数据进行对比。